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东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET

34资源网2023年06月14日 15:55124

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出采用最新一代工艺制造的"TK055U60Z1",进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构,耐压600V,适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品,已经开始批量出货。

通过对栅极设计和工艺进行优化,与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比,600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%,漏源导通电阻×栅漏电荷(MOSFET性能的品质因数)降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低,并最终实现了开关电源效率的提高。

该新产品采用TOLL封装,栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极线电感的影响,增强MOSFET的高速开关性能,从而抑制开关过程中的振荡。

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