旗舰机要换代了！UFS 4.0闪存正式发布：读取可达4200MB/s、速度翻番

处理器之外，你的手机可能要迎来一个足够的升级理由，ufs 4.0闪存它来了。

5月4日早间消息，三星半导体宣布已经成功开发出业内性能最佳的ufs 4.0（universal flash storage）存储芯片，并且已经通过jedec固态存储协会的认证批准。

性能方面，ufs 4.0的每通道带宽速度增至23.2gbps，是ufs 3.1的两倍。基于三星的第七代v-nand闪存和自研主控，实测连续读速可达4200mb/s、连续写速可达2800mb/s。

可做对比的是，目前业内性能最好的三星512gb ufs 3.1闪存芯片（2020年3月发布），标称连续读速最高2100mb/s，写速1200mb/s。这样换算的话，写入提升了1.3倍。

在提速的同时，单位功耗居然还低了。按照三星的说法，每1ma电流可承载6mb/s的读速，比前一代提高46%，这意味着用户可以获得更长的电池续航时间。

另外，ufs 4.0闪存芯片的封装尺寸只有11x13x1mm，最大容量1tb。

据悉，三星ufs 4.0闪存将于今年三季度投入量产，换言之，最快下半年应该就能见到相关手机问世，比如三星自家的galaxy z fold 4、z flip 4以及明年的s23系列等。

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