天玑8100+独显芯片!realme GT Neo3正面首度公布:超窄边框中孔屏
据此前消息,realme gt neo3将于3月22日正式发布,在经过多轮预热之后,官方终于公开了该机的正面造型。
根据realme中国区总裁徐起公布的实拍图,realme gt neo3将采用居中打孔屏幕方案,且边框控制的非常出色。

值得注意的是,该机也是realme首次采用居中打孔,此前多为左上角开孔。
据此前消息,该机最大的亮点就是将搭载天玑8100芯片+独显芯片的双芯组合,以及全球首发150w光速秒充技术。

其中,独立显示芯片能够分担性能芯片的gpu渲染工作,通过memc运动补偿技术,计算出游戏原始两帧画面之间的过度画面,增加过度帧,由此来提升游戏画面整体帧率。
有了独立显示芯片的运作,游戏画面能稳定在高帧率的同时,减少性能芯的功耗,一举两得。

至于150w闪充技术则采用udca光速秒充架构,其采用并联多路电荷泵方式增加充电电流,以更低转化损耗、更低电阻、更低温度实现150w大功率闪充。
根据徐起日前晒出的截图显示,realme gt neo3能在150秒成功冲破电量红区,从1%充电到超过25%电量,号称能颠覆日常充电体验。

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