天玑8100+独显芯片！realme GT Neo3正面首度公布：超窄边框中孔屏
据此前消息，realme gt neo3将于3月22日正式发布，在经过多轮预热之后，官方终于公开了该机的正面造型。
根据realme中国区总裁徐起公布的实拍图，realme gt neo3将采用居中打孔屏幕方案，且边框控制的非常出色。
值得注意的是，该机也是realme首次采用居中打孔，此前多为左上角开孔。
据此前消息，该机最大的亮点就是将搭载天玑8100芯片+独显芯片的双芯组合，以及全球首发150w光速秒充技术。
其中，独立显示芯片能够分担性能芯片的gpu渲染工作，通过memc运动补偿技术，计算出游戏原始两帧画面之间的过度画面，增加过度帧，由此来提升游戏画面整体帧率。
有了独立显示芯片的运作，游戏画面能稳定在高帧率的同时，减少性能芯的功耗，一举两得。
至于150w闪充技术则采用udca光速秒充架构，其采用并联多路电荷泵方式增加充电电流，以更低转化损耗、更低电阻、更低温度实现150w大功率闪充。
根据徐起日前晒出的截图显示，realme gt neo3能在150秒成功冲破电量红区，从1%充电到超过25%电量，号称能颠覆日常充电体验。
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